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研究真空灭弧室的温升特性对于其结构参数的优化和保障其自身的流通能力具有重要意义。用SolidWorks软件建立真空灭弧室的导电回路3D模型并对其结构进行简化,采用ANSYS Workbench软件对真空灭弧室的仿真模型进行涡流场-温度场耦合分析,对额定电流状态下导电回路的温升进行仿真计算。结果表明:增大触头片接触点直径、增大杯壁厚度、减小杯壁螺旋开槽长度和增大导电杆的半径等尺寸参数对真空灭弧室的温升均有所改善。对优化后的模型按照触头材料为CuCr50和CuCr10分别对其进行仿真,结果发现,CuCr10的触头片材料温升远低于CuCr50时的温升,且CuCr10能承受更大的电流,因此可以考虑通过改变触头材料来实现优化真空灭弧室的温升特性。 相似文献
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