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基于Lam 4420反应离子刻蚀(RIE)设备和Cl2气体开发了适用于沟槽栅IGBT的深槽等离子刻蚀工艺。通过调整HBr、O2和SF6等添加气体含量得到了无底切、底角圆滑、槽壁斜度3°左右、深度6μm的沟槽;通过系统优化气体流量、气压、电极间距和RF功率等工艺参数,得到了5%的硅片内不均匀性,刻蚀速率可达800 nm/min。在完成CF4/Ar刻蚀和牺牲氧化等后续工艺后,槽型得到进一步改善。 相似文献
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高压直流输电系统故障电流下晶闸管的温升计算 总被引:2,自引:0,他引:2
在分析HVDC晶闸管最大故障电流与结温关系的基础上,建立瞬态热阻抗模型,提出了一种计算晶闸管温升的优化算法,并进行了仿真计算。 相似文献
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新型压接式IGBT模块的结构设计与特性分析 总被引:4,自引:3,他引:1
介绍了一种新型压接式绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,简称IGBT)模块的内部结构设计,分析其相对于传统IGBT模块的优势,并通过静态和动态测试分析了其电气性能特点,展示了其良好的特性以及广阔的应用范围。 相似文献
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针对轨道交通绝缘栅双极晶体管(IGBT)的应用特点,利用计算机仿真技术对终端结构进行优化,提高耐压特性;采用台面栅结构,提高开关速度;通过控制载流子注入效率,改善Vceon与Eoff的折中关系,降低芯片损耗;采用先进元胞设计技术,提高芯片短路能力,从而提高芯片可靠性;通过超低阳极掺杂控制阳极注入效率,免除局部寿命控制,降低FRD的反向漏电流。研究开发了3300V IGBT及其配套FRD芯片,满足轨道交通的应用要求。 相似文献
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基于5英寸晶闸管设计与工艺制造技术,通过优化芯片参数,包括扩散杂质分布、光刻版设计、台面终端电场强度的控制及芯片封装结构的改进,设计并制造了用于特高压直流输电的,额定电流电压等级为4000A/8000V的6英寸晶闸管。采用电子辐照技术,实现了静态参数与动态特性的有效折衷。成功研制的这种器件具有短路电流高、动态特性好等特点,并在6英寸换流阀晶闸管测试试验平台上进行了各种试验和检验。 相似文献
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IGBT功率模块封装中先进互连技术研究进展 总被引:1,自引:0,他引:1
随着新一代IGBT芯片结温及功率密度的提高,对功率电子模块及其封装技术的要求也越来越高。文章主要介绍了功率电子模块先进封装互连技术的最新发展趋势,重点比较了芯片表面互连、贴片焊接互连、导电端子引出互连等3种先进互连技术及其封装工艺的优缺点,讨论了功率电子模块封装及互连技术所面临的问题与挑战。 相似文献