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一、前言随着电力电子工业的发展,半导体器件向大功率、高可靠性、低成本的方向发展。国外,大功率半导体压接式结构器件,绝大多数采用无氧铜冷焊封装技术。国内,在1984年,西安电力电子技术研究所(以下简称西安所),引进了美国GE公司大功率晶闸管制造技术;北京整流器厂(以下简称北整厂)也在同年引进了瑞典ASEA公司全压接式器件生产线;1985年,铁道部株洲电力 相似文献
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平板型大功率晶闸管控制极(又称门极)内压接式结构,目前已引起国内外普遍重视,它有利于元件向大电流、高电压方向受展。过去,大功率品闸管控制极一般采用焊接结构,即把银 相似文献
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