荧光磁粉探伤裂纹智能识别图像处理研究

磁粉探伤的发展趋势是自动化、智能化,而工件表面状况、真伪裂纹、工况条件等使得现有的检测识别方法难以满足工件表面裂纹缺陷自动检测识别的需要。在分析工件表面荧光磁粉图像特征及裂纹缺陷特征的基础上,研究表征裂纹邻域像素空间相关度的二维直方图分布,提出基于多重分块极值的图像边缘检测算法。根据裂纹邻域像素空间相关度参数,以及裂纹缺陷的长宽比、圆形度等特征,设计了基于Fisher线性判别方法的工件裂纹识别算法。以此为基础的荧光磁粉探伤工件裂纹缺陷自动检测识别技术,应用于列车轮轴检测线实时检测,裂纹缺陷的有效检出率达99%。     

惯性摩擦制动对铜基粒子材料摩擦磨损性能的影响

采用粉末冶金工艺制备了多组元的铜基摩擦材料,利用GF150D型摩擦试验机,分别在不同的摩擦方式和不同的摩擦条件下,探讨了材料的摩擦磨损性能.结果表明:惯性摩擦条件下,随着摩擦压力提高,磨损量增加,摩擦系数降低.且在其他摩擦条件相同时惯性摩擦条件下的摩擦系数低于定速.惯性试验湿摩擦的摩擦系数比干摩擦的摩擦系数有显著提高,摩擦顺序为高速到低速时的摩擦系数的稳定性都高于摩擦顺序为低速到高速.     

粉喷桩施工技术在高速公路软基加固中的应用

文章结合某高速公路软基加固工程实例,介绍了粉喷桩软基加固处理施工的工艺流程及技术要点,并分析了影响粉喷桩软基加固施工的主要因素,提出了相应的质量控制措施。     

汽车、摩托车铝合金车轮粉末涂料的研究及进展

粉末涂料是一种不含任何有机溶剂以粉末形态进行涂装,经过固化交联成膜的新型表面涂装材料。粉末涂料作为车轮的底层涂装和面层罩光涂料,在国内得到了大量应用。随着21世纪车轮用粉末涂料新产品、新技术和新应用工艺的开发,应用前景将更加广阔。     

大跨度活性粉末混凝土拱桥试设计

以主跨420 m的万州长江大桥作为原型,进行了大跨度活性粉末混凝土拱桥试设计的初步分析.分析结果表明,利用活性粉末混凝土的高强度和高性能,在设计时可以采用更薄的截面形式,有效地减轻拱圈的自重,从而使主拱圈在自重作用下的内力降低,施工难度也随之降低.初步研究结果表明,活性粉末混凝土在大跨度拱桥中的应用是可能的.     

不同纵筋率高强钢筋RPC梁抗剪承载力及剪切延性试验研究

为研究纵筋率对高强钢筋活性粉末混凝土梁剪切性能的影响,进行集中荷载下5根RPC梁的受剪试验,分析纵筋率对梁的斜裂缝宽度、剪切延性及抗剪承载力的影响。结果表明:试验梁的抗剪承载力随着纵筋率的提高而提高,而剪切延性随着纵筋率的提高而降低;采用高强钢筋的活性粉末混凝土梁,正常使用极限状态下斜裂缝最大宽度不超过0.3 mm。建立考虑纵筋作用的高强钢筋活性粉末混凝土梁抗剪承载力计算的经验公式,利用经验公式对搜集的27根梁进行计算,吻合较好且变异系数小。该公式具有一定的参考意义,可为高强钢筋活性粉末混凝土梁抗剪承载力的研究提供参考。     

CA488发动机粉末冶金机油泵驱动齿轮研制

从材料，生产工艺等方面对采用粉末冶金工艺制造机油泵驱动齿轮进行了试验研究，并对合金铸铁机油泵驱动齿轮的粉末冶金机油泵驱动齿轮加以比较，得出结论：ＣＡ４８８发动机采用粉末冶金材料制造机油泵驱动齿轮可提高材料利用率，减少机械加工工序，降低制造成本。     

高速机车用粉末冶金制动闸瓦的研制

机车高速化是国民经济高速发展的迫切需求 ,而没有制动就没有高速化。粉末冶金制动闸瓦广泛应用于高速机车摩擦制动。现总结高速机车用粉末冶金制动闸瓦的研制工作。     

新型涡轮增压器烧结止推轴承材料的研制

研制了涡轮增压器止推轴承烧结黄铜材料和钢背—烧结合金双金属材料。结果表明:与目前使用的锡青铜基材料相比,烧结黄铜具有较高的硬度、拉伸强度和耐磨性能;双金属材料在保持良好摩擦性能的同时,具有更高的强度和承载能力。     

Field emission from carbon nanotube/tin composite

Powder metallurgy was used to fabricate carbon nanotube (CNT) field emission cathodes. CNTs and tin (Sn) powder were blended, compacted and sintered. After polishing and etching, CNTs were exposed and protruded from the metal surface. CNTs were embedded into the Sn matrix, which acted as stable field emitters. The J-E curves show excellent field emission properties, such as low turn-on field of 2.8 V/μm, high emission current density and good current stability.