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李文胜 《湖北汽车工业学院学报》1998,12(4):86-90
讨论了求解势呈贯穿问题时选择基函数的两种方法,并对它们进行了比较,提出了基函数的选择标准。 相似文献
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周青春 《华东船舶工业学院学报》2001,15(3):44-47
讨论一维等高双方势垒对能量确定的自由粒子的散射问题,分析散射中略去向右反射对双势垒透射系数的影响,弄清除坐标缓变垒对自由粒子散射的透射率的近似公式是否是在略去反射条件下得到的。 相似文献
4.
利用有机半导体酞菁铜制作的静电感应三极管(OSIT)进行测试所得的数据,分析了酞菁铜/铝-肖特基势垒的整流特性和静态特性.利用线性插值的方法得到反向偏压下的整流关系式,对OSIT的不饱和静态特性作了进一步的解析,分析了VGS影响OSIT特性的原因. 相似文献
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通过求解泊松方程,从沟道长度调制效应、阈值电压变化及源极同沟道间的势垒变化三个方面详细分析了短沟道MOSFET的器件特性,给出了在短沟道下,描述上述三个参量的数学表达式,为短沟道MOSFET器件的结构设计提供了理论依据。 相似文献
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本文分析了教科书中利用WKB近似法求解势垒贯穿几率时选择波函数的方法,讨论了该方法的局限性.并通过对典型问题的处理,说明了在利用此近似法处理量子力学问题时,正确选取波函数的基本准则. 相似文献
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为优化二次谐波产生器件的性能,研究和开发新的非线性光学材料,对半导体非对称阶梯量子阱结构的性质进行了研究。计算了共振增强效应下的二阶非线性光学系数X2ω^(2),给出了X2ω^(2)随阱宽、阶梯的高度和宽度、势垒宽度、入射波长等因素变化的规律。 相似文献
8.
利用有机半导体酞菁铜制作的静电感应三极管(OSIT)进行测试所得的数据,分析了酞菁铜/铝-肖特基势垒的整流特性和静态特性.利用线性插值的方法得到反向偏压下的整流关系式,对OSIT的不饱和静态特性作了进一步的解析,分析了VGS影响OSIT特性的原因. 相似文献
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周青春 《江苏科技大学学报(社会科学版)》2001,15(3):44-47
讨论一维等高双方势垒对能量确定的自由粒子的散射问题,分析散射中略去向右反射对双势垒透射系数的影响。弄清随坐标缓变势垒对自由粒子散射的透射率的近似公式是否是在略去反射条件下得到的。 相似文献
10.
通过求解泊松方程,从沟道长度调制效应、阈值电压变化及源极同沟道间的势垒变化三个方面详细分析了短沟道MOSFET的器件特性.给出了在短沟道下,描述上述三个参量的数学表达式,为短沟道MOSFET器件的结构设计提供了理论依据. 相似文献
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