FeSiAl合金磁性薄膜的制备与研究

用X-射线衍射，扫描电子显微镜研究了直流磁控溅射法制备的FeSiAl合金薄膜。用振动样品磁强计测量了薄膜的磁性能。主要研究了热处理对薄膜的结构和磁性能的影响。结果表明随着退火温度的升高，薄膜的X衍射峰(220)逐步尖锐化，矫顽力不断减小，磁性能有了较大的提高。     

SiNx薄膜的光致发光研究

用射频磁控溅射技术制备了氮化硅薄膜,室温下测试了薄膜的光致发光谱(PL)和光致发光激发谱(PLE),对薄膜材料的发光特性进行了分析.结果表明,在可见光范围内薄膜有很好的光致发光性质.在波长为381 nm的光激发下,SiNx薄膜的主要发光峰位于520 nm(2.38 eV), 553 nm(2.24 eV), 573 nm(2.16 eV),587 nm(2.11 eV)和627 nm(1.98 eV),主要来自电子在导带与缺陷能级才以及缺陷能级与价带之间的辐射复合.     

环境温度对Ti-Mo-N薄膜摩擦磨损性能的影响

采用多靶共聚焦射频磁控溅射仪制备了Mo含量为46.0%的Ti-Mo-N薄膜,研究了不同环境温度对薄膜摩擦磨损性能的影响.结果表明,Ti-Mo-N薄膜平均摩擦系数(μ)及磨损率(W)受环境温度影响很大,根据其变化趋势,可将环境温度分为3个区间(A, B, C),对应环境温度范围分别为25～200℃、200～300℃、300～600℃.随环境温度升高,区间A内μ逐渐升高,W略有降低;区间B内μ及W基本保持稳定;区间C内μ逐渐降低,W逐渐升高.分析认为磨痕中具有自润滑作用的氧化相的量是导致薄膜μ及W出现上述变化趋势的主要原因.     

法国研制超低铂含量的燃料电池电极

法国MHS Equipment SAS公司的下属MHS能源部门2009年6月9日宣布，其制造出了超低铂含量（0．1μg／cm^2）的质子交换膜燃料电池电极。 该研究是在奥尔良大学的格雷米实验室进行的，利用磁控溅射技术，将铂喷射到其E—Tek气体扩散层上。     

Effect of LaNiO3 interlayer on the dielectric properties of Ba0.5Sr0.5TiO3 thin film on Si substrate

In this study, (100)-oriented growth of Ba_0.5Sr_0.5TiO₃ (BST) /LaNiO₃ (LNO) stacks was obtained on Pt(111)/SiO₂/Si substrates by r.f. magnetron sputtering. The orientation of the subsequently deposited Ba_0.5Sr_0.5TiO₃ thin film was strongly affected by the LNO under layer, and the BST thin film deposited on the (100)LNO-coated Si substrate was also found to have a significant (100)-oriented texture. Effects of LNO interlayer on the dielectric properties of BST thin films were investigated. As a result, the tunability of BST thin film was greatly improved with the insertion of (100)-oriented LNO under layer with proper thickness. Foundation item: the National Key Lab of Nano/Micro Fabrication Technology (No. 9140C 790310060C79) and the National Natural Science Foundation of China (No. 60701012)     

PVD轴瓦溅射工艺研究

研究目的是为进口柴油机的国产化提供磁控溅射的PVD轴瓦。PVD(Physical Vapor Deposition物理气相沉积)轴瓦属于第四代轴瓦,其特点是用磁控溅射的方法在轴瓦基材的内表面上生成镍栅层(阻挡层)和具有优异性能的铝合金减摩层(跑合层、滑动层),这是研制PVD轴瓦的重点和难点。通过反复试验,得出了影响溅射膜层附着强度、沉积速度、维氏硬度、减摩层断面微观形貌等性能的有关参数的优化值并确定了工艺流程。铝合金减摩层的组分含量、附着强度、维氏硬度等性能达到或优于图纸要求。铝合金减摩层断面微观形貌及软锡(Sn)相颗粒直径和分布状态等性能达到外同类产品或文献报道的水平。     

发展中的滴状冷凝强化换热研究

根据"八*五"、"九*五"滴状冷凝课题研究情况,介绍BFe30-1-1管表面实现滴状冷凝换热的工艺及其换热试验结果,并简介BFe30-1-1管表面滴状冷凝换热实现机理.     

直流脉冲磁控溅射制备ITO薄膜及其光电性能

利用直流脉冲磁控溅射法在室温下制备ITO薄膜.通过台阶仪、紫外-可见分光光度计、四探针仪等表征技术,研究了沉积气压、溅射功率,以及Ar/O2流量比等对ITO薄膜沉积速率、光学性能,以及电学性能的影响.研究结果表明,薄膜沉积速率随沉积气压的增大而减小,随功率的增大而增大;方块电阻随气压的增大而增大,随功率的增大而减小;可见光平均透过率主要受O2流量的影响.在沉积气压为0.5 Pa,Ar/O2流量比为20∶0,溅射功率为250 W,膜厚为200 nm时,薄膜的方块电阻为27Ω/□,可见光平均透过率为84.1%.     

Ce掺杂的WO_3薄膜的电学性质

在磁控溅射仪上用直流Ce和W共同磁控溅射方法,在载玻片上沉积Ce掺杂的WO_3,薄膜,以研究溅射功率对该薄膜电学性质的影响.薄膜在550℃的空气中退火1 h,用X射线衍射和扫描电子显微镜分析薄膜的显微结构.结果表明:Ce掺杂后薄膜呈岛状结构生长,有利于薄膜沿b轴方向生长;当Ce和W的溅射功率分别为40 W和160 W时,薄膜的非线性系数最大,达到7.92.