Ag/LaFeO3肖特基结催化材料的制备及其光催化性能研究

采用溶胶凝胶法合成LaFeO₃纳米颗粒,并通过光还原将Ag纳米颗粒沉积在LaFeO₃表面。利用X射线衍射分析对LaFeO₃、Ag/LaFeO₃纳米颗粒的成分和晶体结构进行分析;利用扫描电子显微镜对复合材料的形貌进行分析,并通过能谱分析对复合材料的元素组成及分布进行表征。以亚甲基蓝(MB)模拟有机物污染废水,测得LaFeO₃对MB的光催化降解率在90 min时可达到55.13%,Ag/LaFeO₃对MB的光催化降解率在90 min时可达到94.21%。研究结果表明：Ag纳米粒子的加入大大提高了催化剂的光催化性能,同时为水污染治理光催化剂的设计提供了一种可供选择的新方法。     

一种新型的势垒式限滑差速器

提出了一种新型势垒式限滑差速器。分析了这种差速器的工作原理,介绍了齿轮设计所采用的非渐开线齿形并沿齿面节线分段设计的方法,进行了台架和路试的可靠性试验、最大牵引力试验和制动距离试验。     

势垒贯穿问题中选择基函数的两种方法

讨论了求解势呈贯穿问题时选择基函数的两种方法，并对它们进行了比较，提出了基函数的选择标准。     

双方势垒散射

讨论一维等高双方势垒对能量确定的自由粒子的散射问题，分析散射中略去向右反射对双势垒透射系数的影响，弄清除坐标缓变垒对自由粒子散射的透射率的近似公式是否是在略去反射条件下得到的。     

酞菁铜薄膜有机静电感应三极管动作特性分析

利用有机半导体酞菁铜制作的静电感应三极管(OSIT)进行测试所得的数据,分析了酞菁铜/铝-肖特基势垒的整流特性和静态特性.利用线性插值的方法得到反向偏压下的整流关系式,对OSIT的不饱和静态特性作了进一步的解析,分析了VGS影响OSIT特性的原因.     

酞菁铜薄膜有机静电感应三极管动作特性分析

利用有机半导体酞菁铜制作的静电感应三极管(OSIT)进行测试所得的数据，分析了酞菁铜／铝-肖特基势垒的整流特性和静态特性．利用线性插值的方法得到反向偏压下的整流关系式，对OSIT的不饱和静态特性作了进一步的解析，分析了VGS影响OSIT特性的原因．     

半导体非对称阶梯量子阱结构的二阶非线性极化率

为优化二次谐波产生器件的性能，研究和开发新的非线性光学材料，对半导体非对称阶梯量子阱结构的性质进行了研究。计算了共振增强效应下的二阶非线性光学系数X2ω^(2)，给出了X2ω^(2）随阱宽、阶梯的高度和宽度、势垒宽度、入射波长等因素变化的规律。     

初探WKB近似法中波函数的选择

本文分析了教科书中利用WKB近似法求解势垒贯穿几率时选择波函数的方法,讨论了该方法的局限性.并通过对典型问题的处理,说明了在利用此近似法处理量子力学问题时,正确选取波函数的基本准则.     

短沟道MOSFET器件特性的理论研究

通过求解泊松方程，从沟道长度调制效应、阈值电压变化及源极同沟道间的势垒变化三个方面详细分析了短沟道MOSFET的器件特性，给出了在短沟道下，描述上述三个参量的数学表达式，为短沟道MOSFET器件的结构设计提供了理论依据。     

短沟道MOSFET器件特性的理论研究

通过求解泊松方程,从沟道长度调制效应、阈值电压变化及源极同沟道间的势垒变化三个方面详细分析了短沟道MOSFET的器件特性.给出了在短沟道下,描述上述三个参量的数学表达式,为短沟道MOSFET器件的结构设计提供了理论依据.