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通过求解泊松方程，从沟道长度调制效应、阈值电压变化及源极同沟道间的势垒变化三个方面详细分析了短沟道MOSFET的器件特性，给出了在短沟道下，描述上述三个参量的数学表达式，为短沟道MOSFET器件的结构设计提供了理论依据。 相似文献
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通过求解泊松方程,从沟道长度调制效应、阈值电压变化及源极同沟道间的势垒变化三个方面详细分析了短沟道MOSFET的器件特性.给出了在短沟道下,描述上述三个参量的数学表达式,为短沟道MOSFET器件的结构设计提供了理论依据. 相似文献
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研究La0.67Ca0.33MnO3（LCMO）／Nb—0．1wt%-doped SrTiO3（NSTO）PN结的制备及其I-V特性，分析不同氧含量对I-V特性的影响。随着样品制备氧压的变化，LCMO薄膜电阻率和金属-绝缘体转变温度Tp都有所变化。同时得出PN结的阈值电压Vd和温度的关系，并分析其变化的原因。 相似文献
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