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1.
IGCT作为一种新型大功率半导体开关器件,吸取了GTO和IGBT的优点,但其驱动则需要借助配套的门极驱动电路板才能实现.介绍了IGCT的基本工作原理,并根据驱动电路的要求分析设计原理,对1 100 A/4 500V逆导IGCT集成门极驱动电路的设计方法进行了具体分析和研究,实验结果验证了设计方法的可行性和正确性. 相似文献
2.
IGCT器件及其在变流器上的应用 总被引：2，自引：0，他引：2
研制出具有低杂散电感的水冷IGCT相构件模块;制作了1台IGCT变流器试验机组,进行了三相逆变试验,试验结果显示,与同类GTO变流器相比,性能有较大的提高。 相似文献
3.
集成门极换流晶闸管(IGCT)在高压大容量三电平逆变器中的应用非常广泛.为了获得更高的输出电压,通常会将IGCT串联使用,串联结构中器件动态均压是十分关键的问题.文章提出了基于IGCT功能性模型的6 kV/1 250 kW逆变器中动态均压电路的优化设计方法,并对三电平拓扑结构动态吸收电路的特殊瞬变过程进行了仿真,试验结果证明了所设计的均压电路的有效性. 相似文献
4.
三电平IGCT变流器换流研究 总被引：1，自引：1，他引：0
介绍了IGCT的工作特性和工作原理,对三电平IGCT变流器的换流状态进行了分析,提出了一种三电平IGCT相模块换流试验方法,并对相模块半导体器件的各种换流过程进行了试验研究,结果证明了试验装置和试验方法的合理性和可行性。 相似文献
5.
逆导型IGCT因采用透明阳极、缓冲层、沟槽隔离和门极硬驱动等半导体新型技术而兼具GTO及IGBT的优点,文章重点分析其结构特点及制造工艺。 相似文献
6.
简单分析了集成门极换流晶闸管(IGCT)门-阴极结构和工作原理,并在原有均匀矩形排布和均匀圆周排布的阴极图形基础上提出了一种新的排布方式——梳条分区复合排布。它不仅增加了IGCT阴极的有效面积,增大了电流容量,而且减小了热阻,改善了门极电流通道。 相似文献
7.
概述国内IGCT器件近5年的发展，介绍国产IGCT器件产品，总结了研制取得的技术进步，并给出了IGCT器件的应用方向。 相似文献
8.
IGCT结构特点和性能研究 总被引：3，自引：0，他引：3
介绍了IGCT器件的基本结构和工作原理．在总结其性能特点的基础上,指出IGCT必将成为大功率应用中的首选电力半导体器件． 相似文献
9.
分析了新型器件集成门极换向晶闸管ICCT的原理，并介绍了IGCT-PWM调速系统的空间电压矢量三电平PWM波形生成方法。 相似文献
10.
IGCT器件制造中的阴极梳条成型技术 总被引：5，自引：4，他引：1
张明 《变流技术与电力牵引》2006,(6):15-18
概述了电子器件中的各种硅刻蚀技术,提出了新的旋转喷射硅腐蚀方案,对2种酸腐蚀挖槽方法进行了试验对比.新方法应用于集成门极换相晶闸管(IGCT)器件的梳条成型工艺,获得精密的阴极图形,器件的开关性能优良. 相似文献