大功率整流器换流问题研究

理论上分析了大功率整流电路换流过渡过程，分析了换流过电压、关断功率与阻尼电路参数间的相互关系，提出换流过电压和关断功率的计算方法与计算公式，进一步探讨了如何合理配置阻尼保护电路参数。特别指出在大电流瞬时关断功率比换流过电压具有更大的危害性。为消除元件在换流过程中的关断损坏，还推荐一种改进型整流电路。     

导通瞬态时续流二极管(FWD)反向恢复现象

研究IGBT模块中续流二极管(FWD)导通脉冲宽度(tw)很小时的反向恢复现象.通过仿真测得这种极限工作状态下FWD的电流、电压有关波形,对波形分析可得知导通脉冲宽度(tw)很小时的反向恢复是导致芯片损坏的原因.     

基于Matlab的晶闸管换相过电压仿真

首先讨论了晶闸管的反向恢复过程以及晶闸管反向恢复电流的数学模型,然后以ABB公司的晶闸管5STP34Q5200为例,用Matlab建立晶闸管反向恢复电流的指数函数模型。通过对模型进行仿真发现,在换相电压相同的情况下,线路电感值越大,晶闸管换相过电压越大。     

低米勒电容超结MOSFET开关过程及反向恢复性能仿真研究

针对超结场效应晶体管(SJ-MOSFET),利用工艺仿真建立多次外延离子注入和深槽刻蚀2种不同P柱形貌的器件结构,对比研究了不同工艺、不同栅极结构SJ-MOS的静态特性差异,并与实测数据对比,验证建立模型的正确性。从空间电荷区不均匀拓展的角度,分析不同工艺路线器件的C-V特性测试中"电容转折"现象的微观机理。研究了感性负载下SJ-MOSFET开关过程中栅极电压、漏极电流、漏源极电压随时间变化关系,并搭建寄生体二极管反向恢复测试平台,探究了不同工艺对于反向恢复电荷、峰值电流等参数的影响。研究内容可指导器件设计,提高功率半导体器件在机车应用场景中的匹配度。     

基于P-N结反向恢复过程的吸收电路的仿真设计

介绍了一种用PSPICE仿真软件设计晶闸管吸收电路的方法。该方法利用指数函数模拟P-N结反向恢复时的电流衰减过程，并用PSPICE的参数扫描功能获得吸收电路RC的最佳参数值。该方法适用于普通相控晶闸管和二极管的吸收电路参数设计，有较高的精度。     

混合断路器中串联功率二极管反向恢复暂态过程研究

简要介绍了功率二极管在混合式断路器中的应用,在Matlab\Simulink中建立了二极管的反向恢复集总电荷模型,详细分析了串联二极管的反向恢复暂态过程,并进行了数学推导和仿真研究,计算和仿真结果表明了暂态分析方法的合理性和有效性.     

IGBT模块中续流二极管关断过程失效机理分析

鉴于IGBT模块中的续流二极管在关断过程中会发生瞬变,文章从二极管的设计准则出发,研究续流二极管发生失效的机理,并结合一个IGBT模块中二极管失效的具体案例进行分析,给出了二极管失效的几种原因,并提出了避免其失效的几种方法。     

固态断路器中快恢复二极管的反向恢复模型

本文简要阐述了固态断路器中快恢复二极管的反向恢复问题,详细分析了二极管的关断过程,建立了二极管反向恢复的集总电荷模型,并在Matlab\Simulink中进行了实现。仿真结果和产品数据手册保持一致,验证了模型的有效性和实用性。     

缩短HER整流二极管反向恢复时间的实验研究

采用扩铂工艺制造二极管能够有效地减小开关二极管的反向恢复时间，提高其开关速度。通过实验数据分析，确定了最佳铂扩散温度，提高了ＨＥＲ整流二极管管芯的成品率。     

HiPak 6.5kV IGBT的开关特性及门极驱动电路对其影响

介绍了ABB对Hi Pak 6500V/750A IGBT模块反向恢复特性的研究,首创性地就di/dt对二极管和与之反向并联的IGBT的正、反向恢复特性的影响进行了研究;并分析了di/dt对IGBT模块的影响,可以确认di/dt在其反向恢复过程中起重要作用,即当di/dt过高时,IGBT和二极管芯片会发生损坏,并有可能随后导致变流器的桥臂间短路。文章指出IGBT和门极驱动之间的优化匹配对确保安全工作十分重要,只有这样Hi Pak模块的鲁棒性才能得以完全体现。