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1.
硝酸盐和硫酸盐是大气细颗粒物中的重要组成部分,以往研究发现机动车尾气排放的气态污染物(NOX、SO2)对大气颗粒物的生成有一定的贡献,但忽视了机动车排放的金属氧化物对硝酸盐和硫酸盐生成的促进作用,因此本文对机动车排放的气态污染物与金属氧化物(MgO、MnO2、Al2O3、ZnO、CuO和Cr2O3)之间的反应原理进行了分析.研究表明,在不同混合气体条件下,NOX、SO2与上述不同金属氧化物反应生成的物种(硝酸盐、硫酸盐)促进了大气颗粒物的生成.同时,从金属氧化物表面物种的生成反应来看,各金属氧化物的非均相反应能力存在差异,且Cr2O3非均相反应较强烈.通过研究,丰富了机动车排放的颗粒物组分对硝酸盐、硫酸盐物种的形成机制的探讨.  相似文献   
2.
电力机车大气过电压保护主要是在网侧设置金属氧化物避雷器,检修规程要求应定期对避雷器进行预防性试验,氧化锌避雷器的等效电路为非线性电阻与非线性电容的并联,如何从物理结构上不可分割的非线性阻容并联的电路中准确分离出阻性电流,是该试验台研制的重点。  相似文献   
3.
Adsorber Catalyst——吸附催化,一种后处理技术,即用一种基础金属氧化物和一种贵重金属化合物作为催化剂把氮氧化物转变成氮气和水(水蒸气)。  相似文献   
4.
为了有效控制柴油机NOx排放量,采用等体积浸渍法制备了一系列不同组合含量的钨基催化剂及掺杂不同过渡金属M的改性催化剂M-V2O5-WO3/TiO2(其中M可以是Ni,Zr,Fe,Cu),分别对两类催化剂进行了SCR脱硝活性测试,并进一步用XRD,TEM和NH3-TPD对催化剂进行了表征。研究表明,催化剂掺杂金属Zr时的催化效率较高,在低温(150℃)时也有较高的活性。催化剂活性增加的原因可能是掺杂金属Zr加强了V,W及载体TiO2的分散性,提高氧化还原能力和表面酸性,从而促进SCR性能。  相似文献   
5.
电力机车用25kV金属氧化物避雷器   总被引:1,自引:0,他引:1  
沈建华 《机车电传动》1994,(2):45-48,50
介绍了新产品Y10WT-42/105无间隙金属氧化物避雷器的原理,结构,主要技术参数,特点以及型式试验结果。该产品已用于SS4B电力机车上,并将在今后的国产电力机车上推广应用。  相似文献   
6.
针对近几年委托检测的电气化铁道供电用27.5 kV交流无间隙金属氧化物避雷器检测结果,统计检测结果为不合格的试验项目。分析密封试验、弯曲负荷试验、2 ms方波电流冲击耐受试验、电阻片4/10大电流冲击耐受试验等试验项目检测结果为不合格的原因,提出27.5 kV避雷器质量提升措施。  相似文献   
7.
采用重量法及扫描电镜表征方法研究了D113型离子交换树脂对Zn/Al吸附的优化反应条件以及对Zn/Al双金属氧化物形貌的影响.结果表明:Zn/Al离子的摩尔比为2∶1时,单位质量树脂吸附的总金属离子摩尔数最大,且产物形貌较佳;随着pH值和温度的升高,单位质量树脂吸附的摩尔数增大.pH值为3.89时焙烧产物的形貌最好,温度对焙烧产物的形貌影响不大.EDS数据和XRD谱图表明,产物中存在两种化合物ZnO和Al2O3.  相似文献   
8.
Metal-oxide-semiconductor field effect transistor (MOSFET) intrinsic gain degradation caused by channel length modulation (CLM) effect is examined. A simplified model based on Berkeley short-channel insulator-gate field effect transistor model version 4 (BSIM4) current expression for sub-100 nm MOSFET intrinsic gain is deduced, which only needs a few technology parameters. With this transistor intrinsic gain model, complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) operational amplifier (op amp) DC gain could be predicted. A two-stage folded cascode op amp is used as an example in this work. Non-minimum length device is used to improve the op amp DC gain. An improvement of 20 dB is proved when using doubled channel length design. Optimizing transistor bias condition and using advanced technology with thinner gate dielectric thickness and shallower source/drain junction depth can also increase the op amp DC gain. After these, a full op amp DC gain scaling roadmap is proposed, from 130 nm technology node to 32 nm technology node. Five scaled op amps are built and their DC gains in simulation roll down from 69.6 to 41.1 dB. Simulation shows transistors biased at higher source-drain voltage will have more impact on the op amp DC gain scaling over technology. The prediction based on our simplified gain model agrees with SPICE simulation results.  相似文献   
9.
10.
金属氧化物电阻片的电老化失效、避雷器本体的密封失效及避雷器的耐受电流冲击能力3个方面分析了影响避雷器寿命的主要因素及城市轨道接触网用新型带串联间隙避雷器在这3方面所具备的性能优势,从而得出了城市轨道接触网用带串联间隙球头避雷器的使用寿命可以达到20~30年。  相似文献   
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