Multisim在模拟电子技术设计性实验中应用的研究

根据实践性教学环节中开设设计性、综合性实验的要求,从实验方法和实验手段的改革出发,本文介绍了Muhisim2001软件及其在电子技术设计性实验中的应用．     

模拟电子线路课程教学改革的探索与实践

分析了模拟电子线路课程的教学难点,重点阐述了各个难点的突破方法。     

电视技术在舰船上的应用

随着远海航行时间的增加,船用闭路电视系统已经成为现代舰船必不可少的装备。综合考虑使用环境等各方面因素,对电视技术在舰船上的应用进行了分析,重点介绍了模拟电视技术;数字电视技术;IPTV技术各自的特点和三者之间的区别以及未来舰船电视技术的发展趋势。     

LM331在内燃机车检测中的应用

本文给出一种应用于内燃机车水阻测试台的主电压检测电路,该电路使用廉价的单片V/F转换器,通过光电耦合方式,既保证了检测电压的精度,又可有效防止各种干扰串入计算机控制系统。     

通用数字信号处理平台的实现

简述了PCI20012卡设备驱动程序的工作过程,介绍了基于开发软件包实现高速数据采集和模拟信号输出的程序编制方法,最后,给出了在Windows平台下使用多线程技术的通用信号处理系统实例,并给出了C＋＋源代码。     

基于灰色关联度分析的模拟电路故障诊断

一般情况下,模拟电路中存在着元件容差,使得电路的测量数据存在着不确定的信息,增加了故障诊断的难度。而灰色关联度分析在处理此种不确定信息方面有着独到的优势,可以代替传统故障字典法单纯采用样本距离作为故障的分类指标方法进行故障诊断。因此,灰色关联度分析非常适合于容差模拟电路的故障诊断。     

高速公路视频联网监控方案的研究与实现

随着社会发展和科技进步,我国高速公路的建设也以前所未有的速度发展。由于运营管理者需要对高速公路运营路况实时、全面地了解和控制,所以高速公路视频联网监控系统也随之应运而生。视频联网监控系统经历了模拟视频、数字视频、远程网络视频阶段。它作为现代高速公路智能交通重要的组成部分,在运营管理中发挥着重要作用。结合高速公路视频联网的现状以及工程实例,从视频监控系统的构成、功能、联网技术等方面进行介绍。     

基于OrCAD的可控硅开关功放的仿真研究

介绍了一种特殊的大功率可控硅开关功率放大器,分析了其电路在不同工作频率下的3种工作状态,并就自然换流状态建立了其等效电路模型,基于OrCAD环境下设计了低阻高效的循环模拟开关,并利用它仿真了自然换流状态下的等效电路模型,这种仿真方法能计算出功率放大器在任意点的电流电压值.且仿真数据能较真实地反映系统在任何时刻的工作状况.     

软件无线电技术在铁路通信中的应用

首先介绍目前先进的软件无线电技术,然后通过实际的研发项目,详细地描述此技术在铁路高速移动接入通信系统中的应用.     

DC gain analysis of scaled CMOS op amp in Sub-100 nm technology nodes: A research based on channel length modulation effect

Metal-oxide-semiconductor field effect transistor (MOSFET) intrinsic gain degradation caused by channel length modulation (CLM) effect is examined. A simplified model based on Berkeley short-channel insulator-gate field effect transistor model version 4 (BSIM4) current expression for sub-100 nm MOSFET intrinsic gain is deduced, which only needs a few technology parameters. With this transistor intrinsic gain model, complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) operational amplifier (op amp) DC gain could be predicted. A two-stage folded cascode op amp is used as an example in this work. Non-minimum length device is used to improve the op amp DC gain. An improvement of 20 dB is proved when using doubled channel length design. Optimizing transistor bias condition and using advanced technology with thinner gate dielectric thickness and shallower source/drain junction depth can also increase the op amp DC gain. After these, a full op amp DC gain scaling roadmap is proposed, from 130 nm technology node to 32 nm technology node. Five scaled op amps are built and their DC gains in simulation roll down from 69.6 to 41.1 dB. Simulation shows transistors biased at higher source-drain voltage will have more impact on the op amp DC gain scaling over technology. The prediction based on our simplified gain model agrees with SPICE simulation results.