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CVD法氮化硅及氮化钛涂层试验研究
作者姓名:
张智华 胡海泉
摘 要:
用CVD法在三种基材上蒸镀氮化硅及氮化钛,同时在镀层交界处镀过渡金属。经试验表明,以氮以硅为主蒸镀材,炉内温度控制在1250℃,并选定H2气导入量为2700cm^3/min,可获得较理想的镀层。
关 键 词:
CVD法 陶瓷 氮化硅涂层 氮化钛涂层
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