一种基于电化学蚀刻钽电解电容器箔提高电容的制备方法

钽电解电容器具有较高的电容密度和超高的可靠性，因此被广泛应用于各高精尖领域。然而传统钽电解电容器阳极是利用钽粉烧结工艺制作而成，这种制备工艺存在形成的孔洞无序不均匀，烧结难度大等缺点，使得内部孔洞小，阴极材料难以渗入，无法实现大电容量和耐高电压。本文针对以上问题，提出一种新型的制备方法。实验研究了脉冲直流电源蚀刻钽电解电容器箔的方法，获得了较高的表面积放大效果。系统研究了电解液组成和电源参数对钽箔蚀刻的影响，并筛选出最佳实验条件。在最佳条件下，90 V化成后，比电容达59.54 nF/mm²，较光箔电容量提高了3.2倍。该方法能够有效提高钽电解电容器的比电容量，在高电压化成下达到较高。