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| 产综研开发出可降低SiC功率元件价格的高速CVD装置 | |
| 引用本文： | 蒋晓彬.产综研开发出可降低SiC功率元件价格的高速CVD装置[J].轻型汽车技术,2008(10). |
| 作者姓名： | 蒋晓彬 |
| 摘 要： | 日本产业技术综合研究所(产综研)宣布,该研究所功率电子学研究中心主任研究员石田夕起开发出了SiC外延膜生长速度高达100μm/小时的化学气相生长(CVD)装置"近接垂直吹炼型CVD炉"。生长 |
| 关 键 词： | CVD装置 价格上涨 功率元件 SiC 日本产业技术综合研究所 化学气相生长 生长速度 |
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