三氧化二铝掺杂物的特性及在MCVD中的应用 |
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引用本文: | 丛熙盛.三氧化二铝掺杂物的特性及在MCVD中的应用[J].北方交通大学学报,1996,20(5):533-537. |
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作者姓名: | 丛熙盛 |
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作者单位: | 赫尔辛基大学物理系 |
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摘 要: | 阐述了三氧化二铝的特性和在MCVD中的应用,由于三氧化二铝掺杂在光纤中具有优于二氧化锗的一些特点,被应用于不同的领域,如光纤激光器,光纤放大器和保偏光纤。但由于受三氧化二铝易形成反三氧化二铝现象的限制,一直没有广泛用于普通光纤生产中,在前人研究成果和对制备工艺理解的基础上,认为有必要开发这种新产品。
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关 键 词: | 三氧化二铝 掺杂物 光纤 MCVD 制备 |
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