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拓扑绝缘体薄膜和有限尺寸效应
引用本文:张翼,何珂,马旭村,薛其坤.拓扑绝缘体薄膜和有限尺寸效应[J].舰船电子工程,2012,40(7).
作者姓名:张翼  何珂  马旭村  薛其坤
作者单位:1. 中国科学院物理研究所表面物理国家重点实验室 北京100190
2. 中国科学院物理研究所表面物理国家重点实验室 北京100190;清华大学物理系 低维量子物理国家重点实验室 北京 100084
基金项目:国家自然科学基金,国家重点基础研究发展计划
摘    要:拓扑绝缘体是近年来发现的一类新的量子材料,已成为凝聚态物理的研究热点领域.厚度仅几纳米的拓扑绝缘体薄膜不但具有奇特的物理性质,而且还是拓扑绝缘体应用于平面器件的基础.文章以Bi2 Se3为例,介绍了Bi2 Se3家族拓扑绝缘体薄膜的分子束外延生长以及其能带、自旋结构和拓扑性质随层厚的演化.这些结果为人工调控拓扑绝缘体的电子结构和物理性质提供了指导.

关 键 词:拓扑绝缘体  Bi2  Se3  分子束外延  角分辨光电子能谱  扫描隧道显微镜

Topological insulator thin films and finite size effects
ZHANG Yi , HE Ke , MA Xu-Cun , XUE Qi-Kun.Topological insulator thin films and finite size effects[J].Ship Electronic Engineering,2012,40(7).
Authors:ZHANG Yi  HE Ke  MA Xu-Cun  XUE Qi-Kun
Abstract:
Keywords:
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