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| 用挖槽和场截止工艺的第三代3300 V IGBT模块 | |
| 引用本文： | 王渤洪. 用挖槽和场截止工艺的第三代3300 V IGBT模块[J]. 变流技术与电力牵引, 2005, 0(4): 32-32 |
| 作者姓名： | 王渤洪 |
| 摘 要： | IGBT 3用的挖槽与场截止相协调的工艺已成功地导入欧洲电力半导体公司(eupec GmbH)的600V、1200V和1700VIGBT产品型谱.现今这种工艺适合于3 300VIGBT应用的特殊需求. |
| 关 键 词： | 工艺 第三代 IGBT 模块 Technology Trench Module 特殊需求 应用 产品型谱 电力半导体 欧洲 协调 |
Third Generation of 3 300 V IGBT Module with Trench and Field-stopping Technology |
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| Abstract: | |
| Keywords: | |
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