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IGBT功率模块封装中先进互连技术研究进展
引用本文:吴义伯,戴小平,王彦刚,李道会,刘国友.IGBT功率模块封装中先进互连技术研究进展[J].变流技术与电力牵引,2015(2):6-11.
作者姓名:吴义伯  戴小平  王彦刚  李道会  刘国友
作者单位:株洲南车时代电气股份有限公司功率半导体研发中心(Lincoln分中心)
摘    要:随着新一代IGBT芯片结温及功率密度的提高,对功率电子模块及其封装技术的要求也越来越高。文章主要介绍了功率电子模块先进封装互连技术的最新发展趋势,重点比较了芯片表面互连、贴片焊接互连、导电端子引出互连等3种先进互连技术及其封装工艺的优缺点,讨论了功率电子模块封装及互连技术所面临的问题与挑战。

关 键 词:IGBT  功率模块  封装技术  互连技术  引线键合  贴片焊接  功率端子
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