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IGBT并联应用技术研究
作者姓名:马龙昌  张东辉  杨光  谢舜蒙  欧阳柳  魏海山
作者单位:南车电气技术与材料工程研究院
摘    要:介绍了IGBT元件并联均流的主要影响因素,针对1 200 V/900 A功率等级IGBT并联应用设计了IGBT并联驱动器、低感母排和散热器,并进行了相应的试验研究。研究结果表明,该并联方案均流效果十分出色。

关 键 词:IGBT  并联  均流  驱动器  试验
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