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| 硅元件反应溅射二氧化硅表面保护 | |
| 引用本文： | 王宪.硅元件反应溅射二氧化硅表面保护[J].机车电传动,1973(2). |
| 作者姓名： | 王宪 |
| 作者单位： | 株洲电力机车研究所电机电器室 |
| 摘 要： | 一、前言本所过去生产之2 CZ及3 CT硅元件,其表而保护多采用卧式纯O_2反应溅射SiO_2,如图1所示。钟罩内充O_2,维持真空度在10~(-1)～10~(-2)之间,硅棒上加直流负电压1500V左右,硅棒与结片距离30～40mm,在此条件下, |
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