| 高纯三氟化硼制备技术研究 |
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| 引用本文： | 韩瑞雄,周俊波.高纯三氟化硼制备技术研究[J].舰船科学技术,2010,32(5):99-102. |
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| 作者姓名： | 韩瑞雄 周俊波 |
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| 作者单位： | 北京化工大学,机电工程学院,北京100029 |
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| 摘 要： | 高纯三氟化硼是半导体离子注入用的重要掺杂离子源,在电子工业中有着广泛的应用.本文提出了在真空条件下,高温裂解氟硼酸盐、低温精馏制备高纯三氟化硼气体的新工艺.该工艺是在600 ℃和700 ℃2个温度段分别对氟硼酸盐进行高温分解,对产生的产品气体进行低温精馏操作,实现三氟化硼气体的净化.实验结果表明,该工艺流程产生的三氟化硼气体纯度不低于99.995%,四氟化硅的含量在10 ppm以下.
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| 关 键 词： | 三氟化硼 制备 高纯 |
Research on preparation of extremelypure boron trifluoride |
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| HAN Rui-xiong,ZHOU Jun-bo.Research on preparation of extremelypure boron trifluoride[J].Ship Science and Technology,2010,32(5):99-102. |
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| Authors: | HAN Rui-xiong ZHOU Jun-bo |
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