| IGCT结构特点和性能研究 |
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| 引用本文： | 陈文生.IGCT结构特点和性能研究[J].机电设备,2005,22(4):8-11. |
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| 作者姓名： | 陈文生 |
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| 作者单位： | 上海电器科学研究所(集团)有限公司,上海,200063 |
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| 摘 要： | 介绍了IGCT器件的基本结构和工作原理．在总结其性能特点的基础上，指出IGCT必将成为大功率应用中的首选电力半导体器件．
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| 关 键 词： | 电力电子技术 IGCT 晶闸管 透明发射极 逆导技术 性能特点 |
| 文章编号： | 1005-8354（2005）04-0008-04 |
| 收稿时间： | 2005-05-18 |
| 修稿时间： | 2005-05-18 |
Structure and Properties of Integrated Gate Commutated Thyristor |
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| CHEN Wen-sheng.Structure and Properties of Integrated Gate Commutated Thyristor[J].Mechanical and Electrical Equipment,2005,22(4):8-11. |
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| Authors: | CHEN Wen-sheng |
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| Abstract: | This paper introduces the structure features and working principle of lGCT and points out that IGCT will be the prior option for high power application, as it has a lot of good properties. |
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| Keywords: | power electronic technique IGCT thyristor transparent emitter reverse conduction properties |
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