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IGCT器件制造中的阴极梳条成型技术
引用本文:张明.IGCT器件制造中的阴极梳条成型技术[J].变流技术与电力牵引,2006(6):15-18.
作者姓名:张明
作者单位:株洲南车时代电气股份有限公司电力电子事业部 湖南株洲412001
摘    要:概述了电子器件中的各种硅刻蚀技术,提出了新的旋转喷射硅腐蚀方案,对2种酸腐蚀挖槽方法进行了试验对比.新方法应用于集成门极换相晶闸管(IGCT)器件的梳条成型工艺,获得精密的阴极图形,器件的开关性能优良.

关 键 词:IGCT  梳条  硅刻蚀  旋转喷射腐蚀  IGCT  器件制造  阴极  成型技术  Cathode  Technique  Forming  开关性能  图形  成型工艺  集成门极换相晶闸管  新方法应用  试验对比  酸腐蚀  方案  硅腐蚀  旋转喷射  刻蚀技术  电子器件
文章编号:1671-8410(2006)06-0015-04
收稿时间:2006-07-25
修稿时间:2006年7月25日

The Forming Technique of Cathode Fingers in the IGCT's Process
ZHANG Ming.The Forming Technique of Cathode Fingers in the IGCT''''s Process[J].Converter Technology & Electric Traction,2006(6):15-18.
Authors:ZHANG Ming
Institution:Power Electronics Division, Zhuzhou CSR Times Electric Co., Ltd., Zhuzhou, Hunan 412001,China
Abstract:It is reviewed various silicon etching methods for electronic devices. A new spin spray etching technique is presented andcompared fully with the dipping techique. The new technique has been applied to the finger forming of IGCT, both the segments and thedynamic performance are excellent.
Keywords:IGCT  fingers  silicon etching  spin spray etching
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