| 半导体非对称阶梯量子阱结构的二阶非线性极化率 |
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| 引用本文： | 温诚忠,窦玉焕.半导体非对称阶梯量子阱结构的二阶非线性极化率[J].西南交通大学学报,2002,37(2):212-214. |
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| 作者姓名： | 温诚忠 窦玉焕 |
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| 作者单位： | 西南交通大学应用物理系,四川,成都,610031 |
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| 摘 要： | 为优化二次谐波产生器件的性能，研究和开发新的非线性光学材料，对半导体非对称阶梯量子阱结构的性质进行了研究。计算了共振增强效应下的二阶非线性光学系数X2ω^(2)，给出了X2ω^(2）随阱宽、阶梯的高度和宽度、势垒宽度、入射波长等因素变化的规律。
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| 关 键 词： | 非线性光学 半导体物理 阶梯势阱 二阶非线性极化率 非对称阶梯量子阱结构 阱宽 势垒宽度 |
| 文章编号： | 0258-2724(2002)02-0212-03 |
| 修稿时间： | 2001年7月12日 |
The Second-Order Nonlinear Susceptibility in Semiconductor Asymmetric Step Quantum Well Structure |
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| WEN Cheng zhong,DOU Yu huan.The Second-Order Nonlinear Susceptibility in Semiconductor Asymmetric Step Quantum Well Structure[J].Journal of Southwest Jiaotong University,2002,37(2):212-214. |
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| Authors: | WEN Cheng zhong DOU Yu huan |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | nonlinear optics semiconductor physics step well second order nonlinear susceptibility |
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