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| 新型压接式IGBT模块的结构设计与特性分析 | |
| 作者姓名： | 窦泽春 Rupert Stevens 忻兰苑 刘国友 徐凝华 |
| 作者单位： | 株洲南车时代电气股份有限公司功率半导体研发中心 |
| 摘 要： | 介绍了一种新型压接式绝缘栅双极型晶体管（InsulatedGateBipolarTransistor,简称IGBT）模块的内部结构设计,分析其相对于传统IGBT模块的优势,并通过静态和动态测试分析了其电气性能特点,展示了其良好的特性以及广阔的应用范围。 |
| 关 键 词： | 全压接 IGBT模块 结构设计 特性分析 |
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