| 薄膜铝栅极有机半导体静电感应三极管的试制及动作特性 |
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| 引用本文： | 王东兴.薄膜铝栅极有机半导体静电感应三极管的试制及动作特性[J].大连铁道学院学报,2003,24(3):33-36. |
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| 作者姓名： | 王东兴 |
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| 作者单位： | 大连铁道学院电气信息工程分院 辽宁 |
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| 基金项目： | 教育部留学归国人员科研启动基金(2000-367) |
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| 摘 要： | 试制的有机静电感应三极管采用真空蒸镀法和有机色素酞菁铜(CuPc),制成Au/CuPc/Al/CuPc/Au五层结构,制作的薄膜铝栅极有机静电感应三极管,在偏置电压为V_(DS)=3V,V_(GS)=0V时,静态动作电流I_(DS)=1.2×10~(-6)A/mm~2,动态小信号响应频率可达到1000Hz。实验结果表明,与采用MOS结构的CuPc有机薄膜三极管相比,该三极管驱动电压低,呈典型的静电感应三极管不饱和电流-电压特性。
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| 关 键 词： | 薄膜铝栅极有机半导体静电感应三极管 制作 动作特性 真空蒸镀法 有机色素 酞菁铜色素 |
Preparation and Characteristics of Organic Semiconductor Static Induction Transistor Using Thin Film Al Gate |
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| WANG Dong-xing.Preparation and Characteristics of Organic Semiconductor Static Induction Transistor Using Thin Film Al Gate[J].Journal of Dalian Railway Institute,2003,24(3):33-36. |
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| Authors: | WANG Dong-xing |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | thin film transistor copper phthalocyanine organic semiconductor vacuum evaporate |
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