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| 对新型半导体光电探测器及其填充系数的研究 | |
| 引用本文： | 朱芳.对新型半导体光电探测器及其填充系数的研究[J].中国电动车,2006(4):29. |
| 作者姓名： | 朱芳 |
| 作者单位： | 常州市电子技校 213001 |
| 摘 要： | 本文提出了一种用于CMOS传感器的新型半导体光电器件。由于引入PN注入结,沟道电流同时存在电子电流和空穴电流,因此提高了器件的响应灵敏度,避免了大的寄生电容,提高了信噪比。本文详细的分析了其工作原理和光电特性。 |
| 关 键 词： | CMOS图像传感器 瞬态特性 填充系数 |
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