由于开通冲击电流可控硅击穿的现象

阻容吸收环节原本为限制过电压,但其电容的放电电流(冲击电流)往往使可控硅等元件性能恶化乃至击穿,尤在双向导通的元件更甚。虽有许多学者提出“这些击穿是由于元件的开通集中于一点,即产生过热点的结果”,但其原因——导通初期电流集中的过程和有关影响,尚未明白。作者用新研制的0.2微秒快门开放时间的门控红外线图象变换器和多控制极可控硅,进行了一系列试验与分析,搞清了在2000～3000伏级的可控硅,因开通延时场所的分散性一旦在0.5微秒以上,就产生过热点。控制极电流密度和npn晶体管的电流放大系数α_(npn)是影响开通延时分散性的主要矛盾。进而指出:为了减少开通延时的分散性,在制造(元件)方面和用户(电路)方面应努力的方向。同时,作者也研制出不被冲击电流击穿的新元件。