电子器件氧化层ESD介质击穿物理模型研究

提出了电子器件门电路硅氧化层介质击穿的物理模型。并使用该模型讨论了介质击穿场强与介质厚度的关系，解释了介质击穿电压与ESD（静电放电，electrostatic discharge)脉冲的尺寸效应。