特斯拉Model S驱动系统的结构与工作原理解析(四) |
| |
引用本文: | 蔡元兵.特斯拉Model S驱动系统的结构与工作原理解析(四)[J].汽车维修与保养,2024(3):55-57. |
| |
作者姓名: | 蔡元兵 |
| |
作者单位: | 惠州城市职业学院 |
| |
摘 要: | <正>(接上期)6.IGBT的概念与结构特性IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管是由GTR(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管)的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。
|
|
|