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陶瓷Al4C3薄膜厚度依赖的场发射特性研究
引用本文:梁英.陶瓷Al4C3薄膜厚度依赖的场发射特性研究[J].广州航海高等专科学校学报,2019,27(1):60-64.
作者姓名:梁英
作者单位:广州航海学院 基础部,广东 广州,510725
基金项目:广东省自然基金项目;广州航海学院创新强校工程;广州航海学院创新强校工程
摘    要:采用简单的热化学输运方法,通过控制生长温度和时间,在钨箔上制备了不同厚度的Al_4C_3薄膜.通过扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和拉曼光谱分析等手段对样品的形貌和结构进行了系列表征.场电子发射测试表明,厚度为300 nm、600 nm和1 000 nm的Al_4C_3薄膜的开启电压分别为4.2 V/μm、5.8 V/μm和8.6 V/μm(发射电流10 A/cm^2).这种现象可归因于绝缘Al_4C_3层的厚度和空间电荷效应引起的电子输运能力差异.

关 键 词:Al4C3薄膜  化学气相沉积  场电子发射特性

Study on Thickness-dependent Field Emission Characteristics of Ceramic Al4C3 Thin Films
LIANG Ying.Study on Thickness-dependent Field Emission Characteristics of Ceramic Al4C3 Thin Films[J].Journal of Guangzhou Maritime College,2019,27(1):60-64.
Authors:LIANG Ying
Institution:(Department of Basic Course,Guangzhou Maritime University,Guangzhou Guangdong 510725,China)
Abstract:LIANG Ying(Department of Basic Course,Guangzhou Maritime University,Guangzhou Guangdong 510725,China)
Keywords:Al4C3 thin films  chemical vapor deposition  field electrons emission property
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