| 溶胶凝胶法制备ZAO薄膜 |
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| 引用本文： | 董晓刚 王炜 沈长斌 薛钰芝 孙贤盛. 溶胶凝胶法制备ZAO薄膜[J]. 大连铁道学院学报, 2006, 27(1): 79-82 |
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| 作者姓名： | 董晓刚 王炜 沈长斌 薛钰芝 孙贤盛 |
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| 作者单位： | 大连交通大学环境科学与工程学院 辽宁大连116028 |
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| 摘 要： | 采用Sol-Gel法在普通载玻片上制备出C轴择优取向性、可导电的A l3 离子掺杂的ZnO透明导电薄膜.利用SEM、XRD等分析手段对薄膜进行了表征.研究结果表明:所制备的薄膜为六方纤锌矿型结构表面平整、致密.通过标准四探针法测定了A l3 离子掺杂的ZnO电阻率,证实了薄膜的导电性.实验发现,当离子掺杂浓度为1.5%,前处理温度为300℃,退火温度为600℃,薄膜的质量最好.
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| 关 键 词： | Sol-Gel ZnO Al3 离子掺杂 透明导电薄膜 |
| 文章编号： | 1000-1670（2006）01-0079-04 |
| 收稿时间： | 2005-09-22 |
Aluminum-Doped ZnO Transparent Conducting Thin Films by Sol-Gel Method |
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| DONG XiAO-gang, WANG Wei, SHEN Chang-bin, XUE Yu-zhi, SUN Xian-sheng. Aluminum-Doped ZnO Transparent Conducting Thin Films by Sol-Gel Method[J]. Journal of Dalian Railway Institute, 2006, 27(1): 79-82 |
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| Authors: | DONG XiAO-gang WANG Wei SHEN Chang-bin XUE Yu-zhi SUN Xian-sheng |
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| Keywords: | Sol-Gel ZnO Al~(3 )-doped transparent-conducting films |
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