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1 100 A/4500 V逆导型IGCT组件的研究
引用本文:张明,戴小平,李继鲁,蒋谊,陈芳林.1 100 A/4500 V逆导型IGCT组件的研究[J].变流技术与电力牵引,2007(3):15-20.
作者姓名:张明  戴小平  李继鲁  蒋谊  陈芳林
作者单位:株洲南车时代电气股份有限公司电力电子事业部 湖南株洲412001
摘    要:概述了一种新型可关断电力半导体组件--逆导型IGCT的基本结构及相关技术.介绍了新研制成功的1 100A/4 500 V逆导型IGCT的主要参数和测试波形.

关 键 词:IGCT  逆导型  参数  测试波形  导型  IGCT  研究  Research  Assembly  测试波形  参数  相关  本结构  电力半导体  可关断
文章编号:1671-8410(2007)03-0015-06
修稿时间:2007-04-20

The Research of 1 100 A/4 500 V Reverse Conducting IGCT Assembly
ZHANG Ming,DAI Xiao-ping,LI Ji-lu,JIANG Yi,CHEN Fang-ling.The Research of 1 100 A/4 500 V Reverse Conducting IGCT Assembly[J].Converter Technology & Electric Traction,2007(3):15-20.
Authors:ZHANG Ming  DAI Xiao-ping  LI Ji-lu  JIANG Yi  CHEN Fang-ling
Institution:Power Electronics Division, Zhuzhou CSR Times Electric Co.,Ltd.,Zhuzhou,Hunan 412001,China
Abstract:It is summarized the basic structure and related technology of a new type turnoff power semiconductor assembly: RC_ IGCT. Detailed introduction is given about the main parameters and the test waveforms of 1 100 A/4 500 V RC_IGCT assembly samples manufactured by us newly.
Keywords:IGCT  RC type  parameters  test waveform  
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