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| 假栅P区互联对沟槽栅IGBT性能的影响 | |
| 作者单位： | ;1.株洲中车时代电气股份有限公司 |
| 摘 要： | 基于假栅条形元胞设计与200 mm(8英寸)沟槽栅成套关键工艺,成功研制1 700 V沟槽栅IGBT。通过Silvaco仿真与衬板测试,对比研究了假栅P区互联方式对器件的动静态特性与安全工作区的影响。与假栅P区接地方案相比,假栅P区浮空时器件导通与开关损耗更低、RBSOA能力更强。分析了假栅P区互联方式对器件性能的影响机理。器件采用假栅P区浮空方案,结合场截止与载流子存储技术,具有良好的综合性能,已通过各项验证,即将进行应用考核。 |
| 关 键 词： | 沟槽栅IGBT 假栅P区 空穴浓度 安全工作区 关断dV/dt |
Effect of P-well Interconnection in Dummy Trench Area on Properties of Trench IGBT |
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| Keywords: | |