| 轨道交通用750A/6500V高功率密度IGBT模块 |
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| 作者单位： | ;1.株洲中车时代电气股份有限公司新型功率半导体器件国家重点实验室;2.中国铁路总公司 |
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| 摘 要： | 通态损耗及开关损耗的降低是高压绝缘栅双极晶体管(IGBT)设计与制造的关键。基于"U"形增强型双扩散金属氧化物半导体(DMOS~+)元胞结构、增强型受控缓冲层(CPT~+)及横向变掺杂集电极(VLDC)技术、横向变掺杂(VLD)终端结构等关键技术,研发了具有低通态损耗的6 500 V平面栅IGBT芯片及其配套快恢复二极管(FRD)芯片。将IGBT及FRD芯片封装成750 A/6 500 V IGBT模块并对其进行测试、试验,其动、静态特性与安全工作区(SOA)性能优良,满足我国高速动车组、大功率机车等轨道交通牵引的应用要求。
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| 关 键 词： | 绝缘栅双极晶体管 “U”形增强型双扩散金属氧化物半导体 增强型受控缓冲层 横向变掺杂集电极 750 A/6 500 V IGBT模块 轨道交通 |
750 A/6 500 V High Power Density IGBT Module for Rail Transit Application |
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