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| 大功率半导体器件的工艺现状 | |
| 引用本文： | K.SATOH,黄慧.大功率半导体器件的工艺现状[J].变流技术与电力牵引,2002(2):11-17. |
| 作者姓名： | K.SATOH 黄慧 |
| 摘 要： | 90年代中期,采用6英寸区融(FZ)硅片(开发于1993年)和硅片工艺设计(开发于90年代)新技术,增加了晶闸管和GTO容量.由于功率器件容量增大,人们须考虑的是如何用自关断器件使功率电子达到更高的性能,进而扩展应用领域. |
| 关 键 词： | GCT GTO 大功率半导体器件 HVIGBT 晶闸管 |
The Present State of the Art in High-Power Semiconductor Devices |
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