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超大规模集成电路制备中硅衬底抛光液研究
引用本文:狄卫国,杨明,刘玉岭.超大规模集成电路制备中硅衬底抛光液研究[J].石家庄铁道学院学报,2003,16(4):38-41.
作者姓名:狄卫国  杨明  刘玉岭
作者单位:[1]石家庄铁道学院计算机系,河北石家庄050043 [2]河北工业大学微电子研究所,天津300130
摘    要:在分析硅衬底的抛光机理的基础上,主要讨论了抛光液对硅衬底抛光质量的影响,同时对抛光液中各成分的选择作了分析研究,采用不含钠离子的有机碱和高效的无钠螯合剂减少了金属离子的玷污,对活性剂影响吸附的作用机理进行了分析,得到了一种小粒径、高速率和低损伤的无钠抛光液。

关 键 词:超大规模集成电路  制备  硅片  化学机械抛光  抛光液
文章编号:1006-3226(2003)04-0038-04
修稿时间:2003年1月17日

Study on Polishing Slurry for Silicon Substrate in ULSI
Abstract:
Keywords:
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