| 二次蒸发制备的CuxS薄膜特性研究 |
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| 引用本文： | 田宏.二次蒸发制备的CuxS薄膜特性研究[J].大连铁道学院学报,2001,22(2):87-89,101. |
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| 作者姓名： | 田宏 |
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| 作者单位： | 大连铁道学院电气工程系，辽宁大连116028 |
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| 摘 要： | 在玻璃基底上通过两次蒸发的新技术制备SuxS薄膜，硫在衬底温度为160℃-200℃时与淀积在衬底上的铜直接发生反应，生成CuxS薄膜，实验发现，生成的CuxS薄与衬底温度有很大关系。160℃时生成的CuxS呈黄绿色，而在190℃左右生成的多晶状的CuxS薄膜，颜色为深绿色，通过XRD、SEM、TS等方法样品的组织结构进行了研究和讨论。
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| 关 键 词： | CuxS薄膜 两次蒸发 光电性 制备 |
Investigation of Characteristics of Cu_xS thin Films Produced by Twice Evaporation Processing |
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| TIAN Hong.Investigation of Characteristics of Cu_xS thin Films Produced by Twice Evaporation Processing[J].Journal of Dalian Railway Institute,2001,22(2):87-89,101. |
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| Authors: | TIAN Hong |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Cu_xS thin film twice evaporation processing photoelectricity |
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