ZnO薄膜PLD过程的机理及实验研究 |
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引用本文: | 柯强,叶志清.ZnO薄膜PLD过程的机理及实验研究[J].中国电动车,2006(12):454. |
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作者姓名: | 柯强 叶志清 |
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作者单位: | 江西师范大学物理与通信电子学院 南昌330022(柯强),江西省光电子与通信重点实验室 南昌330022(叶志清) |
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摘 要: | 讨论脉冲激光沉积原理,利用PLD在Si(001)衬底上生长ZnO薄膜,利用X射线衍射(XRD),原子力显微镜(AFM)等测试手段研究了不同衬底温度所生长的ZnO薄膜结构特征和性能。研究表明:衬底温度影响ZnO薄膜结构和性能。在500℃ ̄600℃沉积范围内随着温度升高,ZnO薄膜结构和性能提高。
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关 键 词: | ZnO薄膜 PLD XRD AFM |
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