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ZnO薄膜PLD过程的机理及实验研究
引用本文:柯强,叶志清.ZnO薄膜PLD过程的机理及实验研究[J].中国电动车,2006(12):454.
作者姓名:柯强  叶志清
作者单位:江西师范大学物理与通信电子学院 南昌330022(柯强),江西省光电子与通信重点实验室 南昌330022(叶志清)
摘    要:讨论脉冲激光沉积原理,利用PLD在Si(001)衬底上生长ZnO薄膜,利用X射线衍射(XRD),原子力显微镜(AFM)等测试手段研究了不同衬底温度所生长的ZnO薄膜结构特征和性能。研究表明:衬底温度影响ZnO薄膜结构和性能。在500℃ ̄600℃沉积范围内随着温度升高,ZnO薄膜结构和性能提高。

关 键 词:ZnO薄膜  PLD  XRD  AFM
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