Cu中空位的计算机模拟

采用Ｆｉｎｎｉｓ－Ｓｉｎｃｌａｉｒ类型的多体势模型，用分子动力学方法对纯Ｃｕ中的单，双空位进行了计算机模拟研究，计算出单空位的形成能和迁移激活能分别为１．２１０ｅＶ和０．９７８８ｅＶ，双空位的结构能和迁移激活能分别为０．１６２４ｅＶ和０．８２１４ｅＶ，并详细分析了定位近邻原子的位移场。计算所得的结果与实验数据相一致。