| 短沟道MOSFET器件特性的理论研究 |
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| 引用本文： | 薛严冰,李晖. 短沟道MOSFET器件特性的理论研究[J]. 大连交通大学学报, 2005, 26(2): 56-59 |
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| 作者姓名： | 薛严冰 李晖 |
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| 作者单位： | 大连交通大学,电气信息学院,辽宁,大连,116028 |
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| 摘 要： | 通过求解泊松方程,从沟道长度调制效应、阈值电压变化及源极同沟道间的势垒变化三个方面详细分析了短沟道MOSFET的器件特性.给出了在短沟道下,描述上述三个参量的数学表达式,为短沟道MOSFET器件的结构设计提供了理论依据.
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| 关 键 词： | 短沟道 n沟道MOSFET 阈值电压 势垒 |
| 文章编号： | 1000-1670(2005)02-0056-04 |
| 修稿时间： | 2004-08-14 |
Theoretical Study of Short-Channel MOSFET Device Characteristics |
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| XUE Yan-bing,LI Hui. Theoretical Study of Short-Channel MOSFET Device Characteristics[J]. Journal of Dalian Jiaotong University, 2005, 26(2): 56-59 |
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| Authors: | XUE Yan-bing LI Hui |
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