| Cr掺杂4H-SiC电子结构的第一性原理计算 |
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| 引用本文： | 林龙,刘铁铮,陶华龙,张志华.Cr掺杂4H-SiC电子结构的第一性原理计算[J].大连交通大学学报,2015,36(4). |
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| 作者姓名： | 林龙 刘铁铮 陶华龙 张志华 |
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| 作者单位： | 1. 大连交通大学 材料科学与工程学院,辽宁 大连 116028;河南理工大学 数学与信息科学学院,河南焦作454003
2. 大连交通大学 材料科学与工程学院,辽宁 大连,116028 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 |
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| 摘 要： | 通过第一性原理计算研究了Cr掺杂4H-SiC电子结构和磁性.计算结果表明Cr掺杂引入空穴,产生自旋极化,Cr原子提供局域磁矩.计算了14种可能的掺杂组态,确定了最稳定的组态.磁耦合计算表明Cr原子磁矩通过Cr0:3d-C∶2p-Cr1∶3d链耦合,处于铁磁基态.Cr掺杂4H-SiC体系的铁磁机理是空穴作为载流子的双交换机制,C与Cr原子间强烈的p-d轨道间杂化作为铁磁交换的媒介.
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| 关 键 词： | 稀磁半导体 电子结构 磁性 第一性原理 4H-SiC |
Electronic Structures of Cr-Boped 4H-SiC by First Principle Calculation |
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| LIN Long,LIU Tiezheng,TAO Hualong,ZHANG Zhihua.Electronic Structures of Cr-Boped 4H-SiC by First Principle Calculation[J].Journal of Dalian Jiaotong University,2015,36(4). |
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| Authors: | LIN Long LIU Tiezheng TAO Hualong ZHANG Zhihua |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | diluted magnetic semiconductors electronic structure magnetism first principles 4H-SiC |
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