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| 高功率密度IGBT模块的研发与特性分析 | |
| 引用本文： | 刘国友,覃荣震,黄建伟,Ian Deviny,罗海辉,Rupert Stevens,吴义伯.高功率密度IGBT模块的研发与特性分析[J].机车电传动,2014(2):6-11. |
| 作者姓名： | 刘国友 覃荣震 黄建伟 Ian Deviny 罗海辉 Rupert Stevens 吴义伯 |
| 作者单位： | ;1.株洲南车时代电气股份有限公司功率半导体研发中心 |
| 摘 要： | 基于现有标准DMOS设计技术,通过优化高压IGBTFRD芯片及其模块结构,降低芯片功耗、模块寄生电感和模块热阻,改善模块散热,提高最高工作温度。研究开发了高功率密度1 500 A/3 300 V、1 200 A/4 500 V及750 A/6 500 V IGBT模块,满足轨道交通的应用要求。 |
| 关 键 词： | 绝缘栅双极晶体管 芯片 模块 高功率密度 功耗 散热 特性分析 轨道交通 |
Development and Characterization of High Power Density IGBT Module |
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