| Ni—P—SiC化学复合镀层中SiC均匀共析的最佳参数研究 |
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| 引用本文： | 吴永敏 梅建庭. Ni—P—SiC化学复合镀层中SiC均匀共析的最佳参数研究[J]. 大连铁道学院学报, 1991, 12(4): 37-40 |
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| 作者姓名： | 吴永敏 梅建庭 |
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| 作者单位： | 大连铁道学院应用化学系，大连舰艇学院 |
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| 摘 要： | 研究了镀复条件及工艺配方对 N-P-SiC 化学复合镀层中 SiC 均匀共析的影响.结果表明,Nj-P 合金基体中 SiC 微粒子均匀共析的最佳条件是:温度87±1℃,搅拌速度600r/min·K,pH=4.8,SiC 平均粒径 D_p=3.5μm,SiC 的添加量8g/L,析出速度12～14μm/h.本文还测定了镀层的显微硬度及磨损量,并用扫描电镜观察了磨损前后的表面形貌和结构.
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| 关 键 词： | 化学镀 均匀性 共析温度 复合镀层 |
Study of Optimum Parameters of SiC even Eutectoid in Ni-P-SiC Chemical Composite Plating |
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| Wu Yongmin. Study of Optimum Parameters of SiC even Eutectoid in Ni-P-SiC Chemical Composite Plating[J]. Journal of Dalian Railway Institute, 1991, 12(4): 37-40 |
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| Authors: | Wu Yongmin |
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| Affiliation: | Wu Yongmin (Dalian Railway Inst.)Mei Jianting (Dalian Naval Inst.) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | chemical plating eutcctoid temperature/evness optimal parameters silicon carbide composite coating |
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