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| 高性能碳化硅混合功率模块研制 | |
| 引用本文： | 邵云,史晶晶,李诚瞻,彭勇殿.高性能碳化硅混合功率模块研制[J].变流技术与电力牵引,2013(2):5-7. |
| 作者姓名： | 邵云 史晶晶 李诚瞻 彭勇殿 |
| 作者单位： | 电力电子器件湖南省重点实验室;株洲南车时代电气股份有限公司 |
| 摘 要： | 报道了一种基于自主封装技术的高性能、高效率碳化硅(SiC)混合功率模块,该功率模块的反向阻断电压为1 200 V,正向导通电流为480 A。动态测试表明,其峰值反向恢复电流Irr仅为-115 A,关断延迟时间td(off)为3.36μs,关断能量损耗Eoff为296.82 mJ,开通延迟时间td(on)仅为0.66μs,开通能量损耗Eon仅为242.27 mJ,输出功率可达到百千瓦级别。与传统的硅基IGBT模块相比,该碳化硅混合功率模块大大降低了模块的能量损耗。 |
| 关 键 词： | SiC SBD IGBT 混合功率模块 能量损耗 |
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