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| 300A/1200V硅整流元件扩散工序实践小结 | |
| 摘 要： | 我所2CZ300A/1200V硅整流元件生产系采用全扩散工艺,即一次扩散形成P—n结(称P层扩散),二次扩散在P层表面形成一高浓度的P~+层(称P~+层扩散),三次扩散在n层表面形成一高浓度的n~+层(称n~+层扩散)。把好扩散质量关,乃是制造高质量整流元件的重要环节。扩散的质量通常用扩散结深、表面浓度及P—n结的电学特性来衡量。而合 |
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