| 直流脉冲磁控溅射制备ITO薄膜及其光电性能 |
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| 引用本文： | 柴卫平,赵景训,王华林,丁万昱.直流脉冲磁控溅射制备ITO薄膜及其光电性能[J].大连交通大学学报,2010,31(6). |
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| 作者姓名： | 柴卫平 赵景训 王华林 丁万昱 |
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| 基金项目： | 大连理工大学三束材料改性教育部重点实验室开放课题资助项目 |
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| 摘 要： | 利用直流脉冲磁控溅射法在室温下制备ITO薄膜.通过台阶仪、紫外-可见分光光度计、四探针仪等表征技术,研究了沉积气压、溅射功率,以及Ar/O2流量比等对ITO薄膜沉积速率、光学性能,以及电学性能的影响.研究结果表明,薄膜沉积速率随沉积气压的增大而减小,随功率的增大而增大;方块电阻随气压的增大而增大,随功率的增大而减小;可见光平均透过率主要受O2流量的影响.在沉积气压为0.5Pa,Ar/O2 流量比为20:0,溅射功率为250W,膜厚为200nm时,薄膜的方块电阻为27Ω/□,可见光平均透过率为84.1%.
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| 关 键 词： | ITO薄膜 磁控溅射 可见光透过率 方块电阻 |
Influence of Deposition Parameters on Photoelectric Properties of ITO Films Prepared by DC Pulse Magnetron Sputtering |
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| CHAI Wei-ping,ZHAO Jing-xun,WANG Hua-lin,DING Wan-yu.Influence of Deposition Parameters on Photoelectric Properties of ITO Films Prepared by DC Pulse Magnetron Sputtering[J].Journal of Dalian Jiaotong University,2010,31(6). |
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| Authors: | CHAI Wei-ping ZHAO Jing-xun WANG Hua-lin DING Wan-yu |
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