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| 单电子器件I—V特性的半经曲拟合 | |
| 引用本文： | 何红波,周继承,胡慧芳,李义兵.单电子器件I—V特性的半经曲拟合[J].长沙铁道学院学报,2000,18(2):53-56. |
| 作者姓名： | 何红波 周继承 胡慧芳 李义兵 |
| 摘 要： | 本文在单电子器件半经典的双隧道结模型的基础上，通过对主主程的数值求解，对Au纳米粒子组装体系的库仑台阶现象进行了拟合．单电子器件的半经典拟合对于单电子器件的设计有很大的指导作用． |
| 关 键 词： | 单电子器件 主方程 |
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