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| 基于全SiC MOSFET的轨道交通牵引逆变器高频负面效应分析及其应对策略 | |
| 作者姓名： | 支永健 杨德勇 朱柄全 袁科亮 高子凡 李鹏飞 |
| 作者单位： | 中车株洲所电气技术与材料工程研究院,湖南株洲412001;许昌电气职业学院,河南许昌461000 |
| 摘 要： | |
| 关 键 词： | 轨道交通 SiC MOSFET 牵引逆变器 电磁干扰 电机侧过电压 轴承电压 仿真 |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ | |
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